由于清洗時硅片表面都是與氣相接觸并且排除的污垢都是進入氣相的，所以把這種清洗成為氣相清洗。
相對于濕法清洗來說，氣相清洗與集成電路的各個工序過程結合的更緊密，由于集成電路的各個工序也是干法工藝過程，所以在
集成電路制備過程的某個工序的前后即可進行氣相清洗。氣相清洗從作用原理上分為物理法和化學法，但有時候是把物理作用和化學
作用相結合在一起把污垢去除。物理清洗和化學清洗的機理是不同的，物理清洗是通過力、光、熱、機械等作用去除污垢，化學清洗
有新的化學物質產生，并變得容易被去除。
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